Modul RAM DDR5 Samsung Bakal Lebih Tipis, Kapasitas Hingga 512GB
Rancangan modul RAM DDR5 dari Samsung bisa jadi cara baru bagaimana efektivitas perangkat ini berlaku. Perusahaan merancang modul tersebut dengan die 8-high (8H) stacked TSV (through silicon via).
Hasilnya, itu diklaim bisa memberikan desain yang lebih tipis, menghasilkan pengurangan 40% diantara tumpukan dies. Sehingga, Modul 8H DDR5 terbaru ini hanya memiliki ketebalan 1,0 mm, dibandingkan dengan 1,2 mm modul 4H lama.
Baca juga : Chipset Intel Untuk Alder Lake Bakal Jadi Seri Paling Lengkap, Siap Dukung PCIe 5.0 & DDR5
Hal tersebut diungkap (via computerbase) pada konferensi Hot chips 33 tahun ini, dimana Samsung telah mempresentasikan karya terbarunya untuk standar memori DDR5 yang akan datang. Perusahaan asal Korea ini tentu bisa jadi arah trend yang lebih seru untuk diungkap bagaimana kehadiran modul memori bakal lebih tipis dibanding generasi sebelumnya.
Dalam hal kinerja, perusahaan mengklaim kalau modul DDR5 terbaru mereka bisa berjalan pada kecepatan 7,2 Gbps, dan kapasitas bahkan bisa jauh lebih besar mencapai hingga 512 GB. Namun, kapasitas besar tampaknya masih terbatas hanya untuk pasar server/perusahaan saja.
Konsumen/pengguna PC biasa dapat mengharapkan UDIMM dengan kapasitas hingga 64 GB. Kecepatan 7,2 Gbps yang disebutkan di atas dicapai pada daya 1,1 Volt yang ditentukan, yang berarti bahwa implementasi Samsung sangat efisien.
Menurut beberapa perkiraan yang dibuat oleh perusahaan, crossover DDR5 untuk pasar mainstream tidak diharapkan sebelum 2023/2024, yang berarti masih banyak waktu bagi pembuat memori untuk menyempurnakan produk DDR5 mereka.
VIDEO TERBARU MURDOCKCRUZ :
