Samsung Mulai Produksi Chip 3nm, Klaim Peningkatan Efisiensi & Performa Lebih Efektif
Samsung mulai memproduksi chip awal dengan proses node 3nm yang menerapkan arsitektur transistor gate-all-around (GAA). Diumumkan secara resmi, membuka era baru untuk chipset yang memiliki teknologi unggulan Multi-Bridge-Cchannel FET (MBCFET).
Hadirnya teknologi tersebut diklaim bakal menentang batasan kinerja FinFET, meningkatkan efisiensi daya dengan mengurangi tingkat tegangan suplai, sekaligus meningkatkan kinerja dengan meningkatkan kemampuan arus penggerak.
Baca juga : HP 14s-dq0508TU Quick Preview : Rekomendasi Budget Laptop 4 Jutaan Pas
Samsung bahkan sedang memulai aplikasi pertama transistor nanosheet dengan chip semikonduktor untuk kinerja tinggi, aplikasi komputasi daya rendah dan berencana untuk memperluas ke prosesor mobile.
“Samsung telah berkembang pesat karena kami terus menunjukkan kepemimpinan dalam menerapkan teknologi generasi berikutnya untuk manufaktur, seperti Gerbang Logam High-K pertama di industri pengecoran, FinFET, serta EUV. Kami berusaha untuk melanjutkan kepemimpinan ini dengan proses 3nm pertama di dunia. dengan MBCFET,” kata Siyoung Choi, presiden dan kepala Foundry Business di Samsung Electronics.
“Kami akan melanjutkan inovasi aktif dalam pengembangan teknologi yang kompetitif dan membangun proses yang membantu mempercepat pencapaian kematangan teknologi.” klanjutnya
Samsung mengatakan teknologi miliknya menggunakan nanosheets dengan saluran yang lebih luas, memungkinkan kinerja lebih tinggi dan efisiensi energi yang lebih besar. Memanfaatkan teknologi 3nm GAA, Samsung tampaknya bisa menyesuaikan lebar saluran nanosheet untuk mengoptimalkan penggunaan daya dan kinerja untuk memenuhi berbagai kebutuhan pelanggan.
Selain itu, fleksibilitas desain GAA bisa menguntungkan untuk pengoptimalan teknologi desain (DTCO), yang membantu meningkatkan manfaat daya, kinerja, area (PPA).
Dibandingkan dengan proses 5nm, proses 3nm generasi pertama dapat mengurangi konsumsi daya hingga 45%, peningkatan kinerja sebesar 23% dan mengurangi area sebesar 16%.
Sedangkan untuk proses 3nm generasi kedua, ini dikatakan bakal mengurangi konsumsi daya hingga hingga 50%, meningkatkan kinerja hingga 30% dan mengurangi area hingga 35%, kata Samsung.
VIDEO TERBARU MURDOCKCRUZ :
